WSD25280DN56G N채널 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD25280DN56G MOSFET의 전압은 25V, 전류는 280A, 저항은 0.7mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
고주파 POL(Point-of-Load) 동기식、벅 컨버터、네트워킹 DC-DC 전원 시스템、전동 공구 적용,전자담배 MOSFET, 무선충전 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS 반도체 MOSFET PDC262X.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 25 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류（실리콘 리미티드)1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | 연속 배수 전류(실리콘 제한))1,7 | 190 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류2 | 600 | A |
| EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 1200 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류 | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | 총 전력 손실4 | 83 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=20A | --- | 0.7 | 0.9 | mΩ |
| VGS=4.5V, 나는D=20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=20V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, 나는D=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(4.5V) | VDS=15V,VGS=4.5V, 나는D=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 24 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=15V,V세대=10V,RG=1Ω, 나D=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 55 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 62 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=15V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 1120 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 650 | --- |
