WSD20L120DN56 P 채널 -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD20L120DN56 P 채널 -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSD20L120DN56
  • BVDSS:-20V
  • 르드손:2.1mΩ
  • ID:-120A
  • 채널:P 채널
  • 패키지:DFN5*6-8
  • 제품 여름:MOSFET WSD20L120DN56은 -20V에서 작동하고 -120A의 전류를 소비합니다.저항은 2.1밀리옴이고 P채널이며 DFN5*6-8 패키지로 제공됩니다.
  • 신청:전자담배, 무선충전기, 모터, 드론, 의료기기, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털기기, 소형가전, 가전제품 등.
  • 제품 상세 정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반적인 설명

    WSD20L120DN56은 고밀도 셀 구조를 갖춘 최고 성능의 P-Ch MOSFET으로, 대부분의 동기식 벅 컨버터 사용에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다.WSD20L120DN56은 전체 기능 신뢰성 승인을 통해 RoHS 및 환경 친화적 제품에 대한 EAS 요구 사항을 100% 충족합니다.

    특징

    1, 고급 높은 셀 밀도 트렌치 기술
    2, 초저 게이트 충전
    3, 우수한 CdV/dt 효과 감소
    4, 100% EAS 보장 5, 친환경 장치 사용 가능

    응용

    MB/NB/UMPC/VGA용 고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 벅 컨버터, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 무선 충전기, 모터, 드론, 의료, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전제품, 가전제품.

    해당 자재번호

    AOS AON6411,니코 PK5A7BA

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    10초 정상 상태
    VDS 드레인 소스 전압 -20 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±10 V
    ID@TC=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -120 A
    ID@TC=100℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -69.5 A
    ID@TA=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -25 -22 A
    ID@TA=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -24 -18 A
    IDM 펄스 드레인 전류2 -340 A
    EAS 단일 펄스 눈사태 에너지3 300 mJ
    IAS 눈사태 전류 -36 A
    PD@TC=25℃ 총 전력 소모4 130 W
    PD@TA=25℃ 총 전력 소모4 6.8 6.25 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=-1mA --- -0.0212 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=-4.5V, ID=-20A --- 2.1 2.7
           
        VGS=-2.5V, ID=-20A --- 2.8 3.7  
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =-250uA -0.4 -0.6 -1.0 V
               
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수   --- 4.8 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -6  
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=-5V, ID=-20A --- 100 --- S
    Rg 게이트 저항 VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 2 5 Ω
    Qg 총 게이트 충전(-4.5V) VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A --- 100 --- nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 21 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 32 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=-10V , VGEN=-4.5V ,

    RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω

    --- 20 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 50 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 100 ---
    Tf 가을 시간 --- 40 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz --- 4950 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 380 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 290 ---

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