WSD20100DN56 N채널 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD20100DN56 N채널 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD20100DN56

BVDSS:20V

ID:90A

RD손:1.6mΩ 

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8


제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD20100DN56 MOSFET의 전압은 20V, 전류는 90A, 저항은 1.6mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

전자 담배 MOSFET, 드론 MOSFET, 전동 공구 MOSFET, 페시아 건 MOSFET, PD MOSFET, 소형 가전 MOSFET.

WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON6572.

POTENS 반도체 MOSFET PDC394X.

MOSFET 매개변수

상징

매개변수

평가

단위

VDS

드레인 소스 전압

20

V

VGS

게이트 소스 전압

±12

V

ID@TC=25℃

연속 배수 전류1

90

A

ID@TC=100℃

연속 배수 전류1

48

A

IDM

펄스 드레인 전류2

270

A

EAS

단일 펄스 눈사태 에너지3

80

mJ

IAS

눈사태 전류

40

A

PD@TC=25℃

총 전력 손실4

83

W

TSTG

보관 온도 범위

-55~150

TJ

작동 접합 온도 범위

-55~150

RθJA

열 저항 접합 주변1(tDF10S)

20

/W

RθJA

열 저항 접합 주변1(정상 상태)

55

/W

RθJC

내열성 접합 케이스1

1.5

/W

 

상징

매개변수

정황

최소

일반

맥스

단위

BVDSS

드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA

20

23

---

V

VGS(일)

게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA

0.5

0.68

1.0

V

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=4.5V, ID=20A  

1.9

2.5

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=2.5V, ID=20A

---

2.8

3.8

IDSS

드레인 소스 누설 전류 VDS=16V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V , VGS=0V , TJ=125

---

---

5

IGS

게이트 소스 누설 전류 VGS=±10V, VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

게이트 저항 VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

총 게이트 충전(10V) VDS=15V , VGS=10V , ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

게이트 소스 요금

---

8.7

---

Qgd

게이트-드레인 충전

---

14

---

Td(켜짐)

켜기 지연 시간 VDD=15V , VGS=10V , RG=3 ,

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

상승 시간

---

11.7

---

Td(꺼짐)

꺼짐 지연 시간

---

56.4

---

Tf

가을 시간

---

16.2

---

시스

입력 커패시턴스 VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz

---

4307

---

pF

코스

출력 커패시턴스

---

501

---

Crss

역방향 전송 용량

---

321

---

IS

연속 소스 전류1,5 VG=VD=0V, 강제 전류

---

---

50

A

VSD

다이오드 순방향 전압2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25

---

---

1.2

V

트르

역복구 시간 IF=20A , di/dt=100A/μs ,

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

역회복 비용

---

72

---

nC


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