WSD100N15DN56G N채널 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD100N15DN56G MOSFET의 전압은 150V, 전류는 100A, 저항은 6mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
의료용 전원 MOSFET, PDs MOSFET, 드론 MOSFET, 전자 담배 MOSFET, 주요 가전 MOSFET, 전동 공구 MOSFET.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 150 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
| ID | 연속 배수 전류, VGS@ 10V(티C=25℃) | 100 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류 | 360 | A |
| EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지 | 400 | mJ |
| PD | 총 전력 소모...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | 내열성, 접합부 주변 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 내열성, 접합 케이스 | 0.78 | ℃/W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~175 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=100V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 총 게이트 요금 | VDS=50V, VGS=10V, 나는D=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 18 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=50V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 98 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 55 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=30V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 1730년 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 195 | --- |
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