WSD100N06GDN56 N채널 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD100N06GDN56 MOSFET의 전압은 60V, 전류는 100A, 저항은 3mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
의료용 전원 MOSFET, PDs MOSFET, 드론 MOSFET, 전자 담배 MOSFET, 주요 가전 MOSFET, 전동 공구 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.ST마이크로일렉트로닉스 MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS 반도체 MOSFET PDC692X.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 | ||
| VDS | 드레인 소스 전압 | 60 | V | ||
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V | ||
| ID1,6 | 연속 배수 전류 | 기온=25°C | 100 | A | |
| 온도=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | 펄스 드레인 전류 | 기온=25°C | 240 | A | |
| PD | 최대 전력 손실 | 기온=25°C | 83 | W | |
| 온도=100°C | 50 | ||||
| IAS | 눈사태 전류, 단일 펄스 | 45 | A | ||
| EAS3 | 단일 펄스 눈사태 에너지 | 101 | mJ | ||
| TJ | 최대 접합 온도 | 150 | ℃ | ||
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ | ||
| RθJA1 | 주변에 대한 열 저항 접합 | 정상 상태 | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | 열 저항 - 케이스 접합 | 정상 상태 | 1.5 | ℃/W | |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 | |
| 공전 | |||||||
| V(BR)DSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | 제로 게이트 전압 드레인 전류 | VDS = 48V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGS | 게이트 누설 전류 | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| 특성에 대하여 | |||||||
| VGS(TH) | 게이트 임계값 전압 | VGS = VDS, IDS = 250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(켜짐)2 | 드레인 소스 온 상태 저항 | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| 스위칭 | |||||||
| Qg | 총 게이트 요금 | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | 게이트-사워 차지 | 16 | nC | ||||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | 4.0 | nC | ||||
| td (켜짐) | 켜기 지연 시간 | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | 켜기 상승 시간 | 8 | ns | ||||
| td(끄기) | 끄기 지연 시간 | 50 | ns | ||||
| tf | 꺼짐 하강 시간 | 11 | ns | ||||
| Rg | 갓 저항 | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0.7 | Ω | |||
| 동적 | |||||||
| 시스 | 커패시턴스에서 | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| 코스 | 출력 용량 | 1522 | pF | ||||
| Crss | 역방향 전송 용량 | 22 | pF | ||||
| 드레인 소스 다이오드 특성 및 최대 정격 | |||||||
| IS1,5 | 연속 소스 전류 | VG=VD=0V, 강제 전류 | 55 | A | |||
| 주의 | 펄스 소스 전류3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | 다이오드 순방향 전압 | ISD = 1A , VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| 트르 | 역복구 시간 | ISD=20A, DLSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | 역회복 비용 | 33 | nC | ||||
